Порядок расчета цепей смещения биполярных транзисторов: Схема эмиттерно-базовой стабилизации с ООС по напряжению |
Схемотехника - Схемотехника и конструирование схем | |||
Рис. 3.29. Схема эмиттерно-базовой стабилизации с ООС по напряжению
Основные расчетные соотношения: \( R_{К 1} = \cfrac{R1 \left( 1 + \beta_{СТ} - {S_I}_К \right)}{\left( 1 + \beta_{СТ} \right) \left( {S_I}_К - 1 \right)} \approx \cfrac{R2 \left( U_П - {U_{БЭ}}_0 \right) -R1 \left( {U_{БЭ}}_0 + \cfrac{{I_К}_0 R2}{\beta_{СТ}} \right) }{{I_К}_0 R2 + {U_{БЭ}}_0} \);
\( R_{К 2} = \cfrac{U_П - {U_{КЭ}}_0 - {U_{БЭ}}_0 \cfrac{R_{К 1}}{R2}}{{I_К}_0} - R_{К 1} = \) \( = \cfrac{R1}{\beta_{СТ}} + \cfrac{{U_{БЭ}}_0 \left( \cfrac{R1}{R2} + 1 \right) - {U_{КЭ}}_0}{{I_К}_0 R2} \);
\(R1 = \cfrac{R_{К 1} \left( {U_{БЭ}}_0 - {I_К}_0 R_{К 2} - {U_{КЭ}}_0 \right)}{{I_К}_0 \left( R_{К 1} + R_{К 2} \right) - U_П - {U_{КЭ}}_0} \approx \) \( \approx \cfrac{R2 \left( {S_I}_К - 1 \right) \left( U_П - {U_{БЭ}}_0 \right)}{{I_К}_0 R2 + {S_I}_К {U_{БЭ}}_0}\);
\(R2 \approx \cfrac{R_{К 1} {U_{БЭ}}_0}{U_П - {I_К}_0 \left( R_{К 1} + R_{К 2} \right) - {U_{КЭ}}_0} \approx \) \( \approx \cfrac{{U_{БЭ}}_0 \left( R_{К 1} + R1 \right) }{\left( U_П - {U_{БЭ}}_0 \right) {I_К}_0 \left( R_{К 1} + \cfrac{R1}{\beta_{СТ}} \right) }\);
\( {F_U}_0 = 1 + \cfrac{{I_К}_0 R_{К 1} }{U_П} = 1 + \cfrac{{I_К}_0 R2 \left( \beta_{СТ} - {S_I}_К \right) \left( U_П - {U_{БЭ}}_0 \right)) }{ \beta_{СТ} U_П \left( {I_К}_0 R2 + {S_I}_К {U_{БЭ}}_0 \right)}\);
\( {U_{КЭ}}_0 = \cfrac{{I_К}_0 R1}{\beta_{СТ}} - {I_К}_0 R_{К 2} + {U_{БЭ}}_0 + \cfrac{{U_{БЭ}}_0 R1}{R2} \approx \) \( \approx \cfrac{U_П \left( R1 + R2 \right) - {I_К}_0 \left[ R_{К 1} R_{К 2} + \left( R1 + R2 \right) \left( R_{К 1} + R_{К 2} \right) \right]}{R1 + R2 + R_{К 1} } \) ;
\( {I_К}_0 = \cfrac{R1 \left( U_П - {U_{КЭ}}_0 \right) + R_{К 1} \left( {U_{БЭ}}_0 - {U_{КЭ}}_0 \right)}{R1 \left( R_{К 1} + R_{К 2} \right) + R_{К 1} R_{К 2}} = \) \( = \beta_{СТ} \cfrac{R2 \left( U_П - {U_{БЭ}}_0 \right) - {U_{БЭ}}_0 \left( R1 + R_{К 1} \right)}{R2 \left[ R1 + R_{К 1} \left( \beta_{СТ} + 1 \right) \right]}\);
\( {S_I}_К \approx 1 + \cfrac{R1 \beta_{СТ}}{R1 + R_{К 1} \left( \beta_{СТ} + 1 \right)} \approx 1 + \cfrac{R1}{\cfrac{R1}{\beta_{СТ}} + R_{К 1}} \).
Комментарий Коэффициент нестабильности \({S_I}_К\) уменьшается из-за наличия ООС по напряжению (чем больше глубина ООС по напряжению \({F_U}_0\), тем ниже \({S_I}_К\)). Номиналы резисторов \(R_{К 1}\) и \(R_{К 2}\) почти не зависят от \(\beta_{СТ}\), если ток делителя напряжения на резисторах \(R1\), \(R2\) существенно больше тока базы транзистора \(VT1\).
|
Все права защищены © Алексей Ровдо, 1994-2023. Перепечатка возможна только по согласованию с владельцем авторских прав. admin@club155.ru