logo

Главная Цепи смещения транзисторных каскадов Порядок расчета цепей смещения Схема ЭБС с ООС по напряжению

Порядок расчета цепей смещения биполярных транзисторов: Схема эмиттерно-базовой стабилизации с ООС по напряжению

Печать
Схемотехника - Схемотехника и конструирование схем

 

Схема эмиттерно-базовой стабилизации с ООС по напряжению

Рис. 3.29. Схема эмиттерно-базовой стабилизации с ООС по напряжению

 

 

Основные расчетные соотношения:

\( R_{К 1} = \cfrac{R1 \left( 1 + \beta_{СТ} - {S_I}_К \right)}{\left( 1 + \beta_{СТ} \right) \left( {S_I}_К - 1 \right)} \approx \cfrac{R2 \left( U_П - {U_{БЭ}}_0 \right) -R1 \left( {U_{БЭ}}_0 + \cfrac{{I_К}_0 R2}{\beta_{СТ}} \right) }{{I_К}_0 R2 + {U_{БЭ}}_0} \);

 

\( R_{К 2} = \cfrac{U_П - {U_{КЭ}}_0 - {U_{БЭ}}_0 \cfrac{R_{К 1}}{R2}}{{I_К}_0} - R_{К 1} = \)

\( = \cfrac{R1}{\beta_{СТ}} + \cfrac{{U_{БЭ}}_0 \left( \cfrac{R1}{R2} + 1 \right) - {U_{КЭ}}_0}{{I_К}_0 R2} \);

 

\(R1 = \cfrac{R_{К 1} \left( {U_{БЭ}}_0 - {I_К}_0 R_{К 2} - {U_{КЭ}}_0 \right)}{{I_К}_0 \left( R_{К 1} + R_{К 2} \right) - U_П - {U_{КЭ}}_0} \approx \)

\( \approx \cfrac{R2 \left( {S_I}_К - 1 \right) \left( U_П - {U_{БЭ}}_0 \right)}{{I_К}_0 R2 + {S_I}_К {U_{БЭ}}_0}\);

 

\(R2 \approx \cfrac{R_{К 1} {U_{БЭ}}_0}{U_П - {I_К}_0 \left( R_{К 1} + R_{К 2} \right) - {U_{КЭ}}_0} \approx \)

\( \approx \cfrac{{U_{БЭ}}_0  \left( R_{К 1} + R1 \right) }{\left( U_П - {U_{БЭ}}_0 \right)  {I_К}_0 \left( R_{К 1} + \cfrac{R1}{\beta_{СТ}} \right) }\);

 

\( {F_U}_0 = 1 + \cfrac{{I_К}_0 R_{К 1} }{U_П} = 1 + \cfrac{{I_К}_0 R2 \left( \beta_{СТ} - {S_I}_К \right) \left( U_П - {U_{БЭ}}_0 \right)) }{ \beta_{СТ} U_П \left( {I_К}_0 R2 + {S_I}_К {U_{БЭ}}_0 \right)}\);

 

\( {U_{КЭ}}_0 = \cfrac{{I_К}_0 R1}{\beta_{СТ}} - {I_К}_0 R_{К 2} + {U_{БЭ}}_0 + \cfrac{{U_{БЭ}}_0 R1}{R2} \approx \)

\( \approx \cfrac{U_П \left( R1 + R2 \right) - {I_К}_0 \left[ R_{К 1} R_{К 2} + \left( R1 + R2 \right) \left( R_{К 1} + R_{К 2} \right) \right]}{R1 + R2 + R_{К 1} } \) ;

 

\( {I_К}_0 = \cfrac{R1 \left( U_П - {U_{КЭ}}_0 \right) + R_{К 1} \left( {U_{БЭ}}_0 - {U_{КЭ}}_0 \right)}{R1 \left( R_{К 1} + R_{К 2} \right) + R_{К 1} R_{К 2}} = \)

\( = \beta_{СТ} \cfrac{R2 \left( U_П - {U_{БЭ}}_0 \right)  - {U_{БЭ}}_0 \left( R1 + R_{К 1} \right)}{R2 \left[ R1 + R_{К 1} \left( \beta_{СТ} + 1 \right) \right]}\);

 

\( {S_I}_К \approx 1 + \cfrac{R1 \beta_{СТ}}{R1 + R_{К 1} \left( \beta_{СТ} + 1 \right)} \approx 1 + \cfrac{R1}{\cfrac{R1}{\beta_{СТ}} + R_{К 1}} \).

 

Комментарий

Коэффициент нестабильности \({S_I}_К\) уменьшается из-за наличия ООС по напряжению (чем больше глубина ООС по напряжению \({F_U}_0\), тем ниже \({S_I}_К\)). Номиналы резисторов \(R_{К 1}\) и \(R_{К 2}\) почти не зависят от \(\beta_{СТ}\), если ток делителя напряжения на резисторах \(R1\), \(R2\) существенно больше тока базы транзистора \(VT1\).

 

 

 

Конструирование схем




Все права защищены © 1997-2011 Перепечатка возможна только по согласованию с владельцем авторских прав. admin@club155.ru

Яндекс.Метрика               Сервер радиолюбителей России - схемы, документация,

 соревнования, дипломы, программы, форумы и многое другое!   схемы новости электроники