Порядок расчета цепей смещения биполярных транзисторов: Схема эмиттерно-базовой стабилизации (ЭБС)

Рис. 3.26. Схема эмиттерно-базовой стабилизации

Исходные данные: \(U_П\), \({U_{КЭ}}_0\), \({U_{БЭ}}_0\), \({I_К}_0\), \(\beta_{СТ}\).

Расчет

1. \( R_К = \cfrac{U_П - {U_{КЭ}}_0}{{I_К}_0} \).

2. Выбор \(R2\):

\( R2 {}^{\Large {в 3...10 раз}\atop{\huge  \ll} \normalsize}  \cfrac{{(15...30)} \beta_{СТ}}{{I_К}_0 {, [мА]}} {, [Ом]} \),

т.е. \(R2\) выбирается исходя из:

\( R2 \approx  \cfrac{{(1,5...10)} \beta_{СТ}}{{I_К}_0 {, [мА]}} {, [Ом]}\),

причем большее значение \(R2\) соответствует большей зависимости режима работы транзистора по постоянному току от его статического коэффициента передачи тока \(\beta_{СТ}\).

3. \( R1 = \cfrac{U_П -{U_{БЭ}}_0}{{U_{БЭ}}_0} R2 \).

Вспомогательные формулы

\( {S_I}_К = 1 + \beta_{СТ} \).

Комментарий

Номиналы сопротивлений уже не зависят от \(\beta_{СТ}\); коэффициент нестабильности \({S_I}_К\) не меняется по сравнению со схемой с фиксированным током базы и остается высоким.