Порядок расчета цепей смещения биполярных транзисторов: Схема автоматического смещения

Рис. 3.28. Схема автоматического смещения

Исходные данные: \(U_П\), \({U_{КЭ}}_0\), \({U_{БЭ}}_0\), \({I_К}_0\), \(\beta_{СТ}\).

В рассматриваемой схеме реализована ООС по напряжению. Для оценки степени такой обратной связи мы будем использовать параметр \({F_U}_0\), называемый глубиной отрицательной обратной связи по постоянному напряжению, иногда его называют коэффициентом обратной связи по напряжению (не путать с коэффициентом передачи цепи обратной связи). Вообще говоря, при различных подходах к анализу схемы можно использовать различные выражения для \({F_U}_0\). Мы будем исходить из следующей формулы:

\( {F_U}_0 = 1 + \cfrac{R_К {I_К}_0}{U_П}\) , т.е. \( 1 < {F_U}_0 < 2\).

Расчет

1. \( R_К = \cfrac{U_П - {U_{КЭ}}_0}{{I_К}_0 + \cfrac{{I_К}_0}{\beta_{СТ}}} \approx \cfrac{U_П - {U_{КЭ}}_0}{{I_К}_0} \).

2. \( R_Б = \cfrac{\left( U_П - {I_К}_0 R_К \right) \beta_{СТ}}{{I_К}_0} \).

Вспомогательные формулы

\( {S_I}_К \approx 1 + \cfrac{R_Б \beta_{СТ}}{R_Б + R_К \left( 1 +\beta_{СТ} \right)} \approx 1 + \cfrac{R_Б}{\cfrac{R_Б}{\beta_{СТ}} + R_К} \) .

Комментарий

Значение \(R_Б\) сильно зависит от \(\beta_{СТ}\). Коэффициент нестабильности \({S_I}_К\) из-за введения ООС по напряжению оказывается меньше, чем в схеме с фиксированным током базы (рис.3.25). С увеличением \({F_U}_0\) (глубины ООС) \({S_I}_К\) падает.