Универсальные и импульсные диоды: Диоды Мотта

Развитием структуры Шоттки являются приборы с барьером Мотта, в которых между металлом и высоколегированным слоем полупроводника \(n^+\)-типа расположен тонкий слой полупроводника с собственной электропроводностью (\(i\)-слой).

Диоды Мотта обладают лучшими по сравнению с диодами Шоттки характеристиками быстродействия. У таких диодов область контактной разности потенциалов расположена практически целиком в \(i\)-области, т.е. барьерная емкость контакта определяется только толщиной \(i\)‑области и может быть меньшей, чем у диодов Шоттки.