logo

Главная Проектирование и расчет транзисторных схем Низкочастотные дифференциальные параметры транзистора-четырехполюсника

Низкочастотные дифференциальные параметры транзистора-четырехполюсника

Печать
Схемотехника - Схемотехника и конструирование схем

 

Если глубоко вникнуть в природу электронных процессов в полупроводниковых структурах, то оказывается, что комплексный характер \(Y\)-, \(Z\)-, \(H\)-параметров транзисторов обусловлен наличием определенных фазовых искажений, вносимых в сигнал при прохождении через прибор. Такие искажения вызываются различными причинами: конечной скоростью протекания физических процессов в полупроводниках, наличием зарядовых и диффузионных емкостей, паразитными связями, обусловленными конструкцией кристалла и корпуса полупроводникового прибора, и т.п.

Очевидно, что влияние всех этих факторов при снижении частоты переменного сигнала будет убывать, а комплексные параметры будут стремиться к некоторым действительным значениям. Таким образом, все дифференциальные параметры на низких частотах можно считать действительными и соответствующие эквивалентные схемы транзисторов-четырехполюсников будут состоять из элементов с действительными параметрами. Следует понимать, что понятие "низкая частота" — это достаточно относительный термин, абсолютное значение которого зависит в первую очередь от конкретного типа применяемого транзистора и схемы его включения.

Общепринятым является обозначение действительных дифференциальных параметров малыми буквами \(y\), \(z\), \(h\) и т.п.1 В документации на конкретные приборы наряду с указанием тех или иных действительных параметров также приводятся режимы их измерения (рабочая точка по постоянному току, частота и амплитуда переменной составляющей входного сигнала, схема включения). Для указания схемы включения транзистора, которой соответствуют параметры, в дополнение к цифровому индексу добавляется соответствующая буква:

  • "э" или "e" для схемы с ОЭ (\(h_{21e}\), \(h_{12э}\), \(z_{21e}\), ...);
  • "б" или "b" для схемы с ОБ (\(h_{21b}\), \(y_{12б}\), \(h_{12b}\), ...);
  • "к" или "c" для схемы с ОК (\(z_{12c}\), \(y_{22к}\), \(h_{21c}\), ...).

Например, \(h_{21б}\) — в системе \(h\)-параметров транзистора-четырехполюсника действительный коэффициент передачи тока при коротком замыкании выходной цепи, соответствующий включению биполярного транзистора по схеме с ОБ.

 

  1. В обозначениях действительных (низкочастотных) дифференциальных параметров транзисторов существует некоторая путаница. В частности, очень часто \(y\)-параметры обозначаются буквой \(g\), что отражает характер величин, описываемых этими параметрами, — это проводимости. Также буквой \(g\) с различными индексами обозначаются параметры эквивалентных схем, имеющие размерности проводимостей (например, в схеме Джаколетто).

 

 

 

Конструирование схем




Все права защищены © 1997-2011 Перепечатка возможна только по согласованию с владельцем авторских прав. admin@club155.ru

Яндекс.Метрика               Сервер радиолюбителей России - схемы, документация,

 соревнования, дипломы, программы, форумы и многое другое!   схемы новости электроники