Контакт между полупроводниками одного типа электропроводности

Контакт полупроводников с одним типом электропроводности, но с разной концентрацией примесей обозначают \(p^+\)-\(p\) или \(n^+\)-\(n\) (знаком “+” отмечается полупроводник с большей концентрацией примесей). В таких контактах носители из области с большей концентрацией примеси переходят в область с меньшей концентрацией. При этом в области с повышенной концентрацией нарушается компенсация зарядов ионизированных атомов примеси, а в другой области создается избыток основных носителей зарядов. Образование этих зарядов приводит к появлению на переходе диффузионного электрического поля и контактной разности потенциалов.

В этих переходах не образуется слой с малой концентрацией носителей зарядов, и их сопротивление определяется в основном сопротивлением низкоомной области. Поэтому при прохождении тока непосредственно на контакте падает небольшое напряжение и выпрямительные свойства этих переходов не проявляются. В \(p^+\)-\(p\)- и \(n^+\)-\(n\)-переходах отсутствует инжекция неосновных носителей из низкоомной области в высокоомную. Если, например, к переходу \(n^+\)-\(n\) подключен источник тока плюсом к \(n\)-области, а минусом к \(n^+\)-области, то из \(n^+\)-области в \(n\)-область будут переходить электроны, являющиеся в ней основными носителями зарядов. При изменении полярности внешнего напряжения из \(n^+\)-области в \(n\)-область должны инжектироваться дырки, однако их концентрация мала, и этого явления не происходит.

Переходы типа \(p^+\)-\(p\) и \(n^+\)-\(n\) часто имеют место из-за особенностей технологии или же специально формируются при изготовлении омических контактов к полупроводникам.