logo

Главная Проектирование и расчет транзисторных схем Виды эквивалентных схем, методы построения эквивалентных схем с действительными параметрами составляющих элементов Гибридная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора

Гибридная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора

Печать
Схемотехника - Схемотехника и конструирование схем

 

Учет ряда физических процессов, имеющих место в биполярных транзисторах на высоких частотах, позволяет увеличить точность модели, описываемой П-образной схемой замещения в \(Y\)-параметрах. При этом получается так называемая гибридная высокочастотная схема замещения биполярного транзистора, известная также под именем схемы Джаколетто (рис. 4.12).

 

Гибридная высокочастотная схема замещения биполярного транзистора (схема Джаколетто)

Рис. 4.12. Гибридная высокочастотная схема замещения биполярного транзистора (схема Джаколетто)

 

В этой схеме:

  • \(r_б^{\prime}\) — распределенное сопротивление базы;
  • \(g_э\) — активная составляющая дифференциальной проводимости прямосмещенного эмиттерного перехода;
  • \(g_к\) — активная составляющая дифференциальной проводимости обратносмещенного коллекторного перехода;
  • \(g_{кэ}\) — активная составляющая дифференциальной проводимости участка между коллектором и эмиттером транзистора;
  • \(C_к\) — емкость между коллектором и базой транзистора (поддается непосредственному измерению и, как правило, указывается в технической документации на транзистор), эта емкость имеет несколько составляющих: \(C_к = C_{к 1} + C_{к 2}\) и обусловлена в основном барьерной емкостью обратносмещенного коллекторного перехода;
  • \(C_э\) — емкость эмиттерного перехода транзистора (обусловлена преимущественно диффузионной емкостью, поскольку эмиттерный переход смещен в прямом направлении);
  • \(S\) — крутизна характеристики передачи транзистора (крутизна транзистора).

Параметры схемы Джаколетто могут быть вычислены через \(h\)-параметры биполярного транзистора по формулам:

\( g_э = \cfrac{1 - h_{12э}}{h_{11э} - r_б^{\prime}}\);

\( g_к = \cfrac{h_{12э}}{h_{11э} - r_б^{\prime}}\);

\( g_{кэ} = h_{22э} - \cfrac{h_{12э}}{h_{11э}} \left( h_{21э} + \cfrac{h_{11э} - r_б^{\prime} h_{21э}}{h_{11э} - r_б^{\prime}} \right)\);

\(C_э = \cfrac{g_э}{\omega_{h_{21э}}} = \cfrac{1 - h_{12э}}{\omega_{h_{21э}} \left( h_{11э} - r_б^{\prime} \right)} \);

\(S = \cfrac{h_{21э} + h_{12э}}{h_{11э} - r_б^{\prime}} \);

где \(\omega_{h_{21э}}\) — граничная частота коэффициента передачи тока \(h_{21э}\).

 

 

 

Конструирование схем





Все права защищены © Алексей Ровдо, 1994-2023. Перепечатка возможна только по согласованию с владельцем авторских прав. admin@club155.ru

Top.Mail.Ru       Сервер радиолюбителей России - схемы, документация,

 соревнования, дипломы, программы, форумы и многое другое!   схемы новости электроники