Переходы между полупроводниками, один из которых имеет собственную электропроводность

Промежуточное положение между \(p^+\)-\(p\) или \(n^+\)-\(n\)- и \(p\)-\(n\)-переходом занимают \(p\)-\(i\)- и \(n\)‑\(i\)‑переходы (буква \(i\) обозначает полупроводник с собственной электропроводностью). Такие переходы образуются между двумя пластинами, одна из которых имеет электронную или дырочную электропроводность, а другая — собственную.

На рис. 1.2-3 показана концентрация носителей зарядов на границе двух полупроводников с \(p\)- и \(i\)-областями. Вследствие разности концентраций носителей зарядов в \(p\)- и \(i\)-областях происходит инжекция дырок из \(p\)-области в \(i\)-область и электронов из \(i\)-области в \(p\)-область. Вследствие малой величины инжекционной составляющей электронного тока потенциальный барьер на границе перехода создается неподвижными отрицательными ионами акцепторов \(p\)-области и избыточными дырками \(i\)-области, диффундирующими в нее из \(p\)-области. Поскольку равновесная концентрация дырок в \(p\)-области значительно больше равновесной концентрации дырок в \(i\)-области, глубина распространения запирающего слоя в \(i\)-области значительно больше, чем в \(p\)-области.

Рис. 1.2-3. Изменение концентрации носителей заряда на границе p-i-перехода