Универсальные и импульсные диоды: Диоды с накоплением заряда

Одним из способов уменьшения времени восстановления обратного сопротивления диода является использование базы с неравномерной концентрацией примеси. При работе диода это обеспечивает удержание (накопление) массы неосновных носителей зарядов вблизи \(p\)‑\(n\)-перехода, поэтому такие диоды называются диодами с накоплением заряда.

У диодов с накоплением заряда концентрация примеси в базе при приближении к \(p\)‑\(n\)‑переходу уменьшается, в связи с этим неравномерной оказывается и концентрация основных носителей — электронов. Электроны диффундируют в сторону \(p\)-\(n\)-перехода, оставляя вдали от него нескомпенсированный заряд положительных ионов. Это приводит к возникновению в базе электрического поля, направленного в сторону перехода. Под действием этого поля дырки, инжектируемые в базу при включении диода в прямом направлении, накапливаются у границы \(p\)-\(n\)-перехода. При переключении диода с прямого направления на обратное эти дырки под действием поля \(p\)-\(n\)-перехода быстро уходят из базы в эмиттер, т.е. время восстановления обратного сопротивления уменьшается. Еще большим быстродействием обладают диоды Шоттки.