2А521А

Критическая частота $( ( f_{кр} ) $), ГГц, не менее:

300

при:

• Постоянная составляющая прямого тока $( ( I_{пр} ) $), мА:
• Обратное напряжение $( ( U_{обр} ) $), В:
• Температура, °C:

100
100
25

Прямое сопротивление потерь $( ( r_{пр} ) $), Ом, не более:

1,5

при:

• Постоянная составляющая прямого тока $( ( I_{пр} ) $), мА:
• Температура, °C:

100
25

Накопленный заряд $( ( Q_{нк} ) $) при $( I_{пр} = 100 $) $( мА $), $( T = +25 °C $) $( ( T = +125 °C ) $) $( [ T = -60 °C ] $), нКл:

50...200
(50...300)
[30...200]

Общая емкость $( ( C_{д} ) $) при $( f = 10 $) $( мГц $), $( U_{обр} = 100 $) $( В $), пФ:

0,12...0,2

Максимально допустимая непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность $( (P_{рас}$) $(_{max} ) $) при температуре основания диода $( T_{осн} = -60...+35 °C $) $( [ T_{осн} = +125 °C ] $), Вт:

Максимально допустимая импульсная рассеиваемая СВЧ мощность $( (P_{рас}$) $(_и$) $(_{max} ) $) при длительности импульса $( τ = 1 $) $( мкс $), скважности $( Q ≥ 1000 $) и температуре основания диода $( T_{осн} = -60...+35 °C $) $( [ T_{осн} = +125 °C ] $), кВт:

Максимально допустимое постоянное обратное напряжение $( (U_{обр}$) $(_{max}) $), В:

Максимально допустимое мгновенное обратное напряжение $( (U_{обр}$) $(_{max} $) $(_{и}) $), В:

Максимальный допустимый постоянный прямой ток $( (I_{пр}$) $(_{max}) $), мА:

Минимальное пробивное напряжение $( ( U_{проб} ) $) при $( I_{обр} = 100 $) $( мкА $), В:

Температура окружающей среды $( (T_{min}...T_{max}) $), $( °C $):