Основные виды современных транзисторов

Печать
Схемотехника - Схемотехника и конструирование схем

 

Как известно, первый биполярный транзистор был сконструирован в 1947 году Дж. Бардином и У. Браттейном в США. В свою очередь, первые патенты, касающиеся принципов работы полевых транзисторов, были выданы даже гораздо раньше создания первых биполярных приборов, а именно в 1925–1935гг. Но реальные действующие полевые транзисторы появились только в 50-х годах XX-го века. За прошедшие после этого десятилетия было разработано множество разновидностей и технологий производства транзисторов, позволяющих получать приборы с самыми разнообразными свойствами и параметрами, а технологии производства полевых транзисторов зачастую даже превосходят аналогичные технологии, необходимые для производства биполярных приборов.

В нашу задачу не входит полное и исчерпывающее описание всего существующего многообразия транзисторов и физических процессов, обусловливающих их работу. Мы ограничимся рассмотрением только некоторых наиболее известных (и, соответственно, наиболее распространенных и применяемых) биполярных и полевых транзисторов. Тем не менее разумным будет все-таки представить читателю следующую классификацию:

Безусловно, прежде чем изучать схемы включения и режимы работы транзисторов в реальных устройствах, необходимо ознакомиться с физикой работы этих приборов, их параметрами и характеристиками, применяемыми для расчета и анализа схем. Здесь вы найдете только довольно упрощенные описания некоторых ключевых вопросов, связанных с работой транзисторов. Описания эти не всегда оказываются полными и корректными с физической точки зрения, но построены так, чтобы в краткой и доступной форме донести до читателя сущность основных процессов в транзисторах, сделавших эти приборы столь популярными в практической радиоэлектронике.