ГА501Б, 1А501Б

Потери пропускания $( ( L_{пр} ) $), дБ, не более:

0,8

при:

• Постоянная составляющая прямого тока $( ( I_{пр} ) $), мА:
• Подводимая (падающая) мощность $( ( P_{пд} ) $), мВт:
• Длина волны подводимого излучения $( ( λ ) $), см:
• Температура, °C:

20
1
3,2
25

Качество диода $( ( K ) $) при $( T = +25 °C $), Ом, не менее:

150

при:

• Постоянная составляющая обратного напряжения $( ( U_{обр} ) $), В:
• Подводимая (падающая) мощность $( ( P_{пд} ) $), мВт:
• Длина волны подводимого излучения $( ( λ ) $), см:
• Температура, °C:

8...13
1
3,2
25

Емкость корпуса $( ( C_{кор} ) $), пФ:

0,12...0,18

Постоянный обратный ток $( ( I_{обр} ) $) при $( U_{обр} = 10 $) $( В $), $( T = 25 °C $) $( ( T = 70 °C ) $), мкА, не более:

0,5 (3,0)

Пробивное напряжение $( ( U_{проб} ) $), В, не менее:

19

Максимально допустимая импульсная падающая СВЧ мощность $( (P_{пд}$) $(_{и}$) $(_{max} ) $) при скважности ≥1000, $( τ_{и} ≤ 2$) $( мкс $), $( T = -60...+70°C $), Вт:

Максимально допустимая импульсная падающая СВЧ мощность $( (P_{пд}$) $(_{и}$) $(_{max} ) $) при воздействии не более 5 мин, скважности ≥1000, $( τ_{и} ≤ 0,15$) $( мкс $), $( T = -60...+70 °C $), Вт:

Максимально допустимая импульсная падающая СВЧ мощность $( (P_{пд}$) $(_{и}$) $(_{max} ) $) при воздействии не более 50 часов, скважности ≥3000, $( τ_{и} ≤ 2$) $( мкс $), $( T ≤ +70 °C $), Вт:

Максимально допустимая непрерывная падающая СВЧ мощность $( (P_{пд}$) $(_{max} ) $) при $( I_{пр} = 10...30$) $( мА $), $( T = -60...+70 °C $), Вт:

Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность $( (P_{рас})$) при $( T = -60...+70 °C $), мВт:

Мощность просачивающегося импульса $( (P_{п}$) $( _{и}) $) при $( T = -60...+70 °C $), мВт:

Энергия просачивающегося импульса $( (W_{п} $) $( _{и}) $) при $( T = -60...+70 °C $), Дж:

Максимальное обратное напряжение $( (U_{обр}$) $(_{max} ) $), В:

18

Максимальный прямой ток $( (I_{пр}$) $(_{max}) $), $( мА $):

Температура окружающей среды $( (T_{min}...T_{max}) $), $( °C $):