logo

Понедельник 05 Декабрь 2016 (GMT+0300)

Полупроводниковые диоды

КД413Б

Тип полупроводникового прибора: Диод импульсный структуры p-i-n

 

Общая информация и особенности применения: Универсальные и импульсные диоды, Диоды структуры p-i-n

Описание параметров: Общие свойства и параметры диодов, Параметры универсальных и импульсных диодов

 

Максимально допустимое
постоянное обратное напряжение $( ( U_{обр max} ) $), В*:

24

Максимально допустимое импульсное
повторяющееся обратное напряжение $( ( U_{обр и п max} ) $), В*:

24

Максимально допустимый постоянный прямой ток $( ( I_{пр max} ) $), мА*:

20

Максимально допустимый импульсный прямой ток $( ( I_{пр и max} ) $), А:

при:

  • Длительность импульса тока $( (t_и )$), мкс:
  • Температура, °C:


25

Максимальная рабочая частота $( ( f_{max} ) $), МГц*:

Время обратного восстановления $( ( t_{вос обр} ) $), нс:

при:

  • Импульсный прямой ток $( ( I_{пр и} ) $), А:
  • Импульсное обратное напряжение $( (U_{обр и}) $), В
  • Температура, °C:



25

Емкость диода $( ( C_{д} ) $), пФ:

0,7

при:

  • Постоянное обратное напряжение $( (U_{обр} )$), В:
  • Температура, °C:

0
25

Постоянное прямое напряжение $( ( U_{пр} ) $), В:

1

при:

  • Постоянный прямой ток $( (I_{пр} )$), мА:
  • Температура, °C:

20
25

Постоянный обратный ток $( (I_{обр}) $) при $( U_{обр} = U_{обр max} $), мкА*:

Максимальная температура окружающей среды $( (T_{max}) $), °C:

85
* При T = 25 °C

 

Рисунок корпуса:

 

КД413Б

 

Относится к группам: Диоды структуры p-i-n



Все права защищены © 1997-2011 Перепечатка возможна только по согласованию с владельцем авторских прав. admin@club155.ru

Яндекс.Метрика               Сервер радиолюбителей России - схемы, документация,

 соревнования, дипломы, программы, форумы и многое другое!   схемы новости электроники