ГА504В

Качество диода $( ( K ) $) при $( T = -60...+25 °C $), не менее:

100

при:

• Постоянная составляющая обратного напряжения $( ( U_{обр} ) $), В:
• Подводимая (падающая) мощность $( ( P_{пд} ) $), мВт:
• Длина волны подводимого излучения $( ( λ ) $), см:

50
1
3,9

Общая емкость $( ( C_{д} ) $) при $( U_{обр} = 50 $) $( В $), пФ:

0,45...1,0

Постоянный обратный ток $( ( I_{обр} ) $) при $( U_{обр} = 50 $) $( В $), $( T = -60...+25 °C $) $( [ T = +70 °C ] $), мкА, не более:

100
[500]

Емкость корпуса $( ( C_{кор} ) $) при $( U_{обр} = 50 $) $( В $), пФ:

0,3...0,4

Время переключения $( ( t_{пер} ) $), нс, не более:

40

при:

• Постоянная составляющая обратного напряжения $( ( U_{обр} ) $), В:
• Подводимая (падающая) мощность $( ( P_{пд} ) $), Вт:
• Длина волны подводимого излучения $( ( λ ) $), см:

50
2
3,9

Максимально допустимая непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность $( (P_{рас}$) $( _{max}) $) при температуре корпуса $( T_{кор} = -60...+35 °C $) $( [T_{кор} = +70 °C] $), Вт:

Максимально допустимая непрерывная падающая СВЧ мощность $( (P_{пд}$) $( _{max}) $) при температуре $( T = -60...+35 °C $) $( [ T = +70 ºC ] $), Вт:

2,5
1,5

Максимально допустимая непрерывная падающая СВЧ мощность $( (P_{пд}$) $( _{max}) $) при кратковременном воздействии (не более 1 мин) и температуре $( T = -60...+70 °C $), Вт:

Максимально допустимое постоянное обратное напряжение $( (U_{обр}$) $(_{max}) $) при температуре $( T = -60...+70 °C $), В:

Максимально допустимый постоянный прямой ток $( (I_{пр}$) $(_{max}) $) при температуре $( T = -60...+70 °C $), мА:

Температура окружающей среды $( (T_{min}...T_{max}) $), $( °C $):

Максимально допустимая температура корпуса $( (T_{кор} $) $( _{max}) $), $( °C $):