logo

Полупроводниковые диоды

2Д809А

Тип полупроводникового прибора: Диод импульсный с барьером Шоттки

 

Общая информация и особенности применения: Универсальные и импульсные диоды, Диоды с барьером Шоттки

Описание параметров: Общие свойства и параметры диодов, Параметры универсальных и импульсных диодов

 

Максимально допустимое
постоянное обратное напряжение $( ( U_{обр max} ) $), В*:

100

Максимально допустимое импульсное
повторяющееся обратное напряжение $( ( U_{обр и п max} ) $), В*:

100

Максимально допустимый постоянный прямой ток $( ( I_{пр max} ) $), А*:

1

Максимально допустимый импульсный прямой ток $( ( I_{пр и max} ) $), А:

5

при:

  • Длительность импульса тока $( (t_и )$), мкс:
  • Температура, °C:


25

Максимальная рабочая частота $( ( f_{max} ) $), МГц*:

Время обратного восстановления $( ( t_{вос обр} ) $), нс:

2

при:

  • Импульсный прямой ток $( ( I_{пр и} ) $), А:
  • Импульсный обратный ток $( (I_{обр и}) $), мА
  • Температура, °C:

500
1000
25

Емкость диода $( ( C_{д} ) $), пФ:

50

при:

  • Постоянное обратное напряжение $( (U_{обр} )$), В:
  • Температура, °C:

5
25

Постоянное прямое напряжение $( ( U_{пр} ) $), В:

1,3

при:

  • Постоянный прямой ток $( (I_{пр} )$), А:
  • Температура, °C:

1
25

Постоянный обратный ток $( (I_{обр}) $) при $( U_{обр} = U_{обр max} $), мкА*:

1000

Максимальная температура окружающей среды $( (T_{max}) $), °C:

85
* При T = 25 °C

 

Рисунок корпуса:

 

2Д809А

 

Относится к группам: Диоды с барьером Шоттки



Все права защищены © 1997-2011 Перепечатка возможна только по согласованию с владельцем авторских прав. admin@club155.ru

Яндекс.Метрика               Сервер радиолюбителей России - схемы, документация,

 соревнования, дипломы, программы, форумы и многое другое!   схемы новости электроники