2А519А

Сопротивление при высоком значении СВЧ мощности $( ( R_{выс} ) $), Ом, не более:

2,2

при:

• Постоянная составляющая прямого тока $( ( I_{пр} ) $), мА:
• Температура, °C:

100
25

Сопротивление при низком значении СВЧ мощности $( ( R_{низ} ) $) при $( T = 25 °C $) $( [T = 125 °C] $), Ом, не более:

20 [25]

при:

• Подводимая мощность $( ( P_{пд} ) $), мВт:
• Частота подводимого излучения $( ( f ) $), ГГц:

1
9,4

Накопленный заряд $( ( Q_{нк} ) $) при $( I_{пр} = 100 $) $(мА $),  $(T = 25 °C $), нКл, не более:

Время обратного восстановления $( ( t_{вос} $) $( _{обр} ) $) при $( I_{пр} = 100 $) $( мА $),  $(T = 25 °C $), нс, не более:

200

Индуктивность диода $( ( L_{д} ) $) при $( T = 25 °C $), нГн, не более:

0,7

Емкость диода при нулевом смещении $( ( C_{д} ) $) при $( T = 25 °C $), пФ:

0,5...0,9

Емкость корпуса $( ( C_{кор} ) $) при $( T = 25 °C $), пФ:

0,2...0,3

Нормируемое обратное напряжение $( ( U_{обр} ) $), В:

при:

• Обратный ток, мкА:
• Температура, °C:

100
25

Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность $( (P_{рас}$) $(_{и}$) $(_{max} ) $) при $( {τ}_{имп} ≤ 1 мкс $), $( Q ≥ 1000 $), $( T = -60...+80 °C $) $( [ T = +125 °C ] $), Вт:

Максимально допустимая непрерывно рассеиваемая мощность $( (P_{рас}$) $(_{max} ) $) при $( T = -60...+80 °C $) $( [ T = +125 °C ] $), Вт:

Максимально допустимый постоянный прямой ток $( (I_{пр}$) $(_{max} ) $) при $( T = 25 °C $), мА:

Максимальное постоянное обратное напряжение $( (U_{обр}$) $(_{max} ) $) при $( T = 25 °C $), В:

10

Максимальная температура перехода $( (T_{п}$) $(_{max}) $), $( °C $):

Температура окружающей среды $( (T_{min}...T_{max}) $), $( °C $):