2А511А

Прямое сопротивление потерь $( ( r_{пр} ) $), Ом, не более:

2,0

при:

• Постоянная составляющая прямого тока $( ( I_{пр} ) $), мА:
• Подводимая (падающая) мощность $( ( P_{пд} ) $), мВт:
• Частота подводимого излучения $( ( f ) $), ГГц:
• Температура, °C:

500
≤1000
3
25

Качество диода на низком уровне СВЧ мощности $( ( K_{низ} ) $) при $( T = +25 °C $) $( [T = +125 °C] $), $( {T = -60 °C} $), Ом, не менее:

2500 [1500] {1750}

при:

• Постоянная составляющая прямого тока $( ( I_{пр} ) $), мА:
• Напряжение отрицательного смещения $( ( U_{см} ) $), В:
• Подводимая (падающая) мощность $( ( P_{пд} ) $), мВт:
• Длина волны подводимого излучения $( ( λ ) $), см:
• Волновое сопротивление $( ( W ) $), Ом:
• Частота переключения $( ( f ) $), мГц:

500
-50
≤1000
10
50
300

Качество диода на высоком уровне СВЧ мощности $( ( K_{выс} ) $) при $( T = +25 °C $), Ом, не менее:

700

при:

• Постоянная составляющая прямого тока $( ( I_{пр} ) $), мА:
• Напряжение отрицательного смещения $( ( U_{см} ) $), В:
• Импульсная подводимая (падающая) мощность $( ( P_{пд}$) $(_{и} ) $), кВт:
• Волновое сопротивление $( ( W ) $), Ом:

500
-50
≤10
50

Накопленный заряд $( ( Q_{нк} ) $) при $( U_{см} = -100 $) $( В $), $( I_{пр} = 100 $) $( мА $), $( f = 1 $) $( кГц $), $( τ = 10$) $(мкс$), $(T = 25 °C $), нКл, не более:

350

Общая емкость $( ( C_{д} ) $) при $( f = 10$) $( или $) $(30 $) $( мГц $), $( P_{пд} < 1 $) $( Вт $), $( U_{см} = -50 $) $( В $), $( T = 25 °C $), пФ:

0,55...0,75

Медианное значение качества диода на низком уровне мощности $( ( K ) $), не менее:

6500

Максимально допустимая импульсная падающая СВЧ мощность $( (P_{пд}$) $(_{и}$) $(_{max} ) $) в коаксиале с волновым сопротивлением $( W = 50 $) $( Ом $) при $( T = 25 °C $), кВт:

Напряжение отрицательного смещения $( (U_{см}$) $(_{max} ) $) при $( T = 25 °C $), В:

-50...-200

Максимальный ток положительного смещения $( (I_{пр}$) $(_{max}) $) при $( T = 25 °C $), $( мА $):

Температура окружающей среды $( (T_{min}...T_{max}) $), $( °C $):